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fully depleted silicon-on-insular

网络释义

  全耗尽型绝缘上覆硅

  有关FD-SOI   全耗尽型绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insular，FD-SOI)是FinFET与Tri-Gate的互补技术，被视为是可望在物联网与汽车市场取代FinFET的理想替代方案，其特色为功耗低、性能和成本效...

基于4个网页-相关网页

有道翻译

fully depleted silicon-on-insular

完全耗尽的硅岛

以上为机器翻译结果，长、整句建议使用 人工翻译 。

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