2003年9月，AMD公布了采用全耗尽型绝缘硅（Fully-depleted SOI， FDSOI）、硅锗、三栅（Tri-Gate）和镍硅金属栅（NiSi）的栅长为20 纳米的硅晶体管。
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2003年9月，AMD公布了采用全空乏绝缘硅（Fully-depleted SOI，FDSOI）、硅锗、三门（Tri-Gate）和金属（NiSi）栅极的栅长20nm的硅晶体管。
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fully-depleted SOI structure 全耗尽SOI结构
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fully depleted SOI MOSFET 全耗尽SOIMOSFET
fully depleted SOI-MOSFET 全耗尽SOI
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