ferroelectric field effecttransistor
铁电存储器用BILT325GTLALT075GTTILT3GTOLT12GT薄膜的制备及性能研究[专业：微电子学与固体电子学] - docin.com豆丁网 铁电随机存取存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）和铁电场效应晶体管（Ferroelectric Field Effect Transistor， FFET）存储器。FRAM为破坏性读取信息（Destructive Read Out, DRO），这样对铁电
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ferroelectric field effecttransistor
铁电场效应晶体管
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