自0.6um线宽以下 BCD工艺普遍采用双栅氧（Dual Gate Oxide），薄栅氧实现低压CMOS，厚栅氧用 于制造高压DMOS。在DMOS 技术上趋向于采用LDMOS 技术。
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提出了一种新的双栅氧(dual gate oxide,DGO)工艺,有效提高了薄栅氧器件与厚栅氧器件的工艺兼容性,同时提高了高低压器件性能的稳定性.
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dual gate oxide
双栅氧化物
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