发光效率与材料是否为直接带隙（Direct Bandgap）有关，图2(a)是直接带隙材料，包括GaN-InN-AlN、GaAs、InP、InAs及GaAs等，这些材料的导带最低点与价带最高点在同一K空间。
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发光效率与材料是否为直接带隙（Direct Bandgap）有关，图2(a)是直接带隙材料，包括GaN-InN-AlN、GaAs、InP、InAs及GaAs等，这些材料的导带最低点与价带最高点在同一K空间。
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MOF-5predicted by the theory is a direct bandgap semiconductor, valence bandmaximum (VBM) and the conduction band minimum (CBM) all located at theG (0,0,0) , direct energy gap of about 3．17eV, indirect energy gap of about3．18eV.
经理论预测MOF-5是一种直接能隙半导体，价带极大值(VBM)与导带极小值(CBM)都位于位于G(0，0，0)点，其直接能隙约为3.17eV，间接能隙约为3.18eV。
参考来源 - 金属有机介孔材料储氢性能的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
The optical direct bandgap taking blue shift can be explain by quantum confinement effect effective mass approximate method.
针对其光学直接禁带宽度发生蓝移，使用量子限域和有效质量近似方法得到了解释。
A thick film has a red shift of direct transition bandgap than thin films due to the strong interface interaction.
由于厚膜中存在较强的表面相互作用，厚膜的直接跃迁禁带宽与薄膜相比发生了红移。
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