...由以上分析可知,准饱和效应是由于器件中 P 阱形成的寄生N 沟J FET 晶体管区域内的载流子速 度饱和(carrier velocity saturation) 所引起的. 由图 3 可见, 由于VDMOS 晶体管的沟道长度 Lch极短,只有0.
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carrier velocity saturation
载流子速度饱和度
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The chirped pulses will be compressed or broadened because of carrier-induced group-velocity dispersion when TW-SLA operates far below saturation.
由于载流子引起的群速度色散效应，使远离饱和区工作的TW-SLA会对有频率啁啾的光脉冲产生展宽或压缩。
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