第一章绪论1.2.2.8原子层外延(ALE) 原子层外延(Atomic Layer Epitaxy)是一种基于MOCVD的超薄薄膜低温生长技术,反应气体可调节,交替供给原材料,并在两气体束流之间清洗反应室。
基于112个网页-相关网页
原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD),最初称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy, ALE),是一种可以将物质以单原子层形式,一层一层的生长在基底表面的方法。
基于12个网页-相关网页
2.1原子层沉积技术简介 单原子层沉积(atomic layer deposition,ALD),又称原子层沉积或原子层外延(atomic layer epitaxy),最初由芬兰科学家在上世纪70年代提出,多用于多晶荧光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制。
基于10个网页-相关网页
原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD),最初称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy, ALE),是一种可以将物质以单原子层形式,一层一层的生长在基底表面的方法。
基于8个网页-相关网页
electrochemical atomic layer epitaxy 电化学原子层外延
laser atomic layer epitaxy 激光原子层外延
Electrochemistry Atomic Layer Epitaxy 电化学原子层外延
sub-atomic layer epitaxy 亚原子外延
Elect atomic layer epitaxy 选择原子层外延
metal- organic atomic layer epitaxy 金属有机化合物原子层外延
·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
以上来源于: WordNet
应用推荐