定义 中文名称： 受主能级 英文名称： acceptor level 定义： 当电子束缚于受主杂质中心时，其能量水平(能级)高于导带顶的能量相应的能级。 应用学科： 材料科学技术（一级学科）； 半导体材料（二级学科）； 总
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Deep acceptor level 深受主能级
vanadium acceptor level 钒受主能级
gold deep acceptor level 中金深受主能级
acceptor impurity level 受主杂质能级
level acceptor 受体准位
Though nitrogen has been believed to be most promising acceptor to dope p-type ZnO, low solubility in ZnO and deep impurity level cause significant resistance to the formation of shallow acceptor level and high acceptor concentration.
但是,N在ZnO中的固溶度比较低,而且形成的受主能级也比较深,因此难以实现有效的掺杂。
参考来源 - 溶胶凝胶法制备ZnO基薄膜及离子注入研究Cathodoluminescence intensities increased on (100) facets with the increase of boron content in catalyst, and there appeared another acceptor level. High-energy peaks emerge after boron doped.
随着触媒中硼含量的增加,(100)晶面的阴极发光特征峰强度会增强,而且出现新的受主能级,高能峰在硼掺杂后才出现。
参考来源 - 含硼金刚石单晶的微观品质与半导体性能的相关性研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
It is indicated that the boron doping promotes the growth of (111) face of the diamonds, enhances acceptor level, narrow 's band gap and increases carrier concentration correspondingly.
其原因是硼元素的掺入促进了金刚石单晶的(111)晶面生长，使受主能级提高，晶体的带隙变窄，载流子浓度提高。
The molecular level flaw includes the flaw of acceptor, forwards acceptor and backward acceptor.
分子水平的缺陷包括：受体前缺陷、受体缺陷和受体后缺陷。
The level changes linearly in the acceptor defect layers.
在受主缺陷扩散层中费未能级的变化是线性的。
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