...控告晶电侵犯其美国专利编US5,686,738「高绝缘单晶氮化镓薄膜(Highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films)专利。 该案至今缠讼三年，稍早传出麻州法院陪审团初步裁定晶电须赔款930万美元。
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高绝缘单晶氮化镓薄膜
High insulation single crystal gallium nitride film
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