由FBH的研究人员开发的转移衬底工艺采用铟砷化镓(InGaAs)作为晶体管有源区材料。首先,在衬底晶圆上生长非常薄的磷化铟和InGaAs层。
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磷铟砷化镓 GaAsInP
砷化铟镓 Indium Gallium Arsenide ; InGaAs
砷化镓铟 InGaAs
磷砷化铟镓 InGaAsP
磷砷化镓铟 InGaAsP
氮砷化铟镓 InGaAsN ; GaAsInN
锑砷化铟镓 InGaAsSb
铟镓砷化物 Indium Gallium ArsenIDE
砷化铝铟镓 AlInGaAs
铟砷化镓
Indium gallium arsenide
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Luxtera的设计消除了使用昂贵的III - V化合物半导体材料(如砷化镓和磷化铟)的必要。
Luxtera's design eliminates the need to use expensive group iii-v compounds, such as gallium arsenide (GaAs) and indium phosphate (InP), in the semiconductors.
youdao
一种材料, 化学符号为InGaAs，主要应用于电子半导体领域，电子在InGaAs中的传输速度是硅的数倍。MIT的MTL（微系统实验室）最近演示了用InGaAs制作的晶体管，传输电流是最先进的硅晶体管的2.5倍。而InGaAs晶体管的尺寸仅仅为60纳米。InGaAs晶体管的优点是能够减少芯片尺寸，提高信息处理的速度.广泛用于探测器!
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