关键技术为：在铟磷(InP) 衬底上制作吸收型光栅；采用窄条选择外延生长技术自动生成铝铟镓砷(AlInGaAs)应变补偿多量子阱窄条台形有源区，并用铟磷(InP)将该台面包覆起来；台形有源区形成后，大面积生长p 型铟磷(InP)盖层和P型铟镓铟砷...
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铝镓砷化铟 AlGaInAs
铝镓铟砷 AlGaInAs
铝铟镓砷
Aluminum indium gallium arsenic
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