轻掺杂漏极(lightly doped drain)
...现思路以介绍在以下在具体实施方式中进一步描述的简化形式的概念选择。本技术实现思路并不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在在确定所要求保护的主题的范围时用作辅助。在一个一般方面，一种半导体器件包括形成在半导体基板上的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，其中，第一晶体管包括具有第一厚度的第一栅极绝缘体、第一源极区域和第一漏极区域、每一个均比第一源极区域和第一漏极区域浅的一对轻掺杂漏极(LDD)区域以及第一栅电极，第二晶体管包括具有比第一厚度薄的第二厚度的第二栅极绝缘体、第二源极区域和第二漏极区域、分别包围第二源...
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轻掺杂漏极(lightly doped drain)
lightly doped drain
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