平面聚合物存储器件(100)可进一步采用薄膜二极管 (TFD),以协助编程。TFD可形成在第一电极(125)与选择性导 电介质之间或在第二电极(140)与选择性导电介质之间。
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薄膜二极管(thin film diode)
thin film diode
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