1肖特基势垒高度 11 零偏压肖特基势垒高度 肖特基势垒高度( Schottky barrier height , SBH) 是 重要的半导体器件参数, 也是一个与多变量有关的 函数。
基于28个网页-相关网页
我们的数据表明，肖特基势垒高度（SBHS）在空间上不均匀。的分布局部有效SBHS在外延接口是仿照由单一高斯的总和，代表SBH蔓延在大多数的接触，和两个半高斯代表高和低障碍...
基于15个网页-相关网页
研究发现GO界面层的作用主要有三个：一是抑制载流子的界面复合；二是提高了肖特基势垒高度(SBH),进而提高了电池的开路电压(Voc)；三是降低了电荷转移电阻,提高了填充因子(FF)。
基于6个网页-相关网页
Secondly, the Schottky barrier height and series resistance underroom temperatureare analyzed, and their relative formulas are obtained.
其次，研究了室温下金属碳化硅接触的肖特基势垒高度和串联电阻，给出了它们的计算公式。
参考来源 - 碳化硅肖特基势垒二极管静态特性的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
在分析4hsic肖特基势垒二极管正向电流热电子发射理论的基础上，计算了肖特基势垒高度？
Based on the thermionic emission theory of the current density of4h-sic schottky barrier diodes under the forward bias the calculations for the schottky barrier height?
在近表面单晶层上作成了性能良好的肖特基接触，其势垒高度约为0.7V。
On the near surface monocrystalline GaAs layer, a better Schottky contact with a barrier height of 0.7V has also been fabricated.
应用推荐