绝缘体上的硅锗（SGOI）结构的应变弛豫过程在氧化诱导葛缩合方法已被研究作为一个功能的SiGe厚度。厚的SGOI层（> 100 nm）的获得完全的放松。
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绝缘体上的锗硅技术 SiGe on Insulator ; SGOI
绝缘体上的硅锗
Silicon-germanium on insulators
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