...阅读全文>> 权威出处： 《半导体学报》1999年11期 西安电子科技大学 4H-SiC功率肖特基势垒二极管（SBD）和结型势垒肖特基（JBS）二极管的研究 碳化硅（SiC）由于具有禁带宽度大、临界位移能高、热导率高等优点而成为制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜...
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结型势垒肖特基
Junction barrier Schottky
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