4HSiC MESFETs微波功率器件新结构与实验研究 - docin.com豆丁网 分支，主要包括肖特基势垒功率二极管 （Sehottky Barrier diode，SBD），PiN功率二极管和结势垒肖特基二极管（Junction Barrier Schottkydiode，JBS）。表1-2是SiC功率整流器的性能指标比较。 表1．2SiC功率整流器性能对比 击穿电压 比导通电阻
基于2个网页-相关网页
结势垒肖特基二极管
Junction barrier Schottky diode
以上为机器翻译结果，长、整句建议使用 人工翻译 。
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动