纤锌矿结构(Wurtzite Structure)，空间群为 4 6v C ，Ga-N双分子层垂直于[0001]晶 面按照AB方式堆积，理想密堆积情况下，晶格常数满足 / 8 / 3 1.633 c a = ≈ 和...
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【正文快照】： ZnO(zinc oxide)属直接宽禁带II-VI族半导体材料,为六方纤锌矿结构(wurzite hexagonal structure),室温下具有很大的禁带宽度约为3·30 eV,且自由激子束缚能高达60 meV,是室温热离化能(26 meV)的2·3倍。
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氧化锌为六方纤锌矿结构(hexagonal wurtzite) 氧化物半导体，具有很高的热稳定 性及化学稳定性。而且氧化锌拥有相当宽的直 接能隙(direct band gap)，约为3.37eV，在 电子元件...
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ZnO has wurtzite structure,and its lattice parameters are a=0.3249 nm and c=0.5206 nm.
ZnO具有六方纤锌矿结构,晶格常数a=0.3249nm,c=0.5206nm。
参考来源 - ZnO薄膜的制备及其特性研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
通过对XRD图谱分析，所有样品都呈现出六角纤锌矿结构。
Through the analysis of XRD patterns, samples present good hexagonal wurtzite structure.
利用变分法研究纤锌矿结构氮化物半导体材料中的浅杂质态问题。
The shallow impurity states in wurtzite nitrides are studied by a variational method.
常压下纳米硫化锌球壳为纤锌矿结构和闪锌矿结构共存的混相结构。
The raw materials contain two structures of ZnS, which are wurtzite and zinc blende respectively.
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