硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGe HBT的设计具有重要的意义.
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锗硅异质结双极晶体管 SiGe HBT
硅锗异质结双极晶体管
Silicon-germanium heterojunction bipolar transistor
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