“相变存储器”是个多义词，它可以指相变存储器（专业术语）, 相变存储器（科学出版社2010年版图书）。
...碲化物的相变存储器(PCM)不仅能够实现按比例缩小，而且是一种具有成本竞争力的存储器技术。由于具有独特的性能，相变存储器(PCM)是存储器体系中的新生代产品，且是NOR型闪存的替代性产品;PCM还能挤占相当大部分先进技术节点的DRAM的市场。
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...，可数据擦写、读取都很慢。所以，尽管这些存储器在各种地方广泛使用，科学家总希望找到一种更完美的下一代存储器。相变存储器(PCRAM)就是这样一种理想的存储器：它通过电流和磁场的开关，让存储材料在晶体和非晶体间切换。
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相变存储器(Phase Change Memory，PCM)是基于Ovshinsky在20世纪60年代末提出的奥弗辛斯基电子效应的存储器，其工作原理是利用加工到纳米尺寸的相变材料在晶态与非晶...
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相变存储器与开关 PCMS
定相变存储器 Phase Change Memory ; PCM
硫化物相变存储器 chalcogenide phase-change memory
位相变存储器 Phase Change Memory ; PCM
相变随机存取存储器 PRAM ; PCRAM ; phase change random access memory
相变随机存储器 PRAM ; phase-change random access memory
相变化存储器 Phase Change Memory
相变储存器 Phase Change Memory ; PCM ; phase-change mory
相变储存器与开关 phase change memory and switch
Then, the principles of phase change memory were discussed, including materials analysis, cell structure and basic performances.
详细介绍了非挥发性相变存储器发展历史，重点论述了相变存储器的原理，包括材料分析、器件结构及基本性能等，通过和其他存储器比较，阐述了相变存储器的主要优点，调研了目前国际最新的研发状况及相变存储器关键技术的研究重点。
参考来源 - 相变存储器存储单元设计与关键制备工艺As the key functional material of the Phase change memory application, phase change material interests researchers around the world for the memory application and the delicacy of itself.
相变材料是相变存储器的核心功能材料，其广泛的应用前景和诸方面的微妙性质引发了各国学者的研究兴趣。
参考来源 - 相变材料研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
提出两种实现相变存储器多值存储的方法。
Two approaches are proposed for multilevel storage based on phase change technology.
由于二极管在单元尺寸上的优势，被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。
Diode is considered to be the best driver of high-density phase change Random Access Memory (PCRAM) for its advantage of the cell area.
这种新材料提供的方法完全不同于i.b.m .英特尔和其他公司在设计的被称为“相变存储器”的新型存储。
The new material offers an approach that is radically different from a promising type of storage called "phase-change memory" being pursued by I.B.M., Intel and other companies.
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