...忆体,低功率,浅沟槽绝缘,可靠度衰退,耦合率. [gap=898]Keywords: embedded flash memory, low power, shallow trench isolation (STI), reliability degradation, coupling ratio.
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...rocess to improve programming of memory cells] 本发明提供在半导体衬底表面上利用浅沟槽绝缘(shallow trench isolation，STI)结构来凸伸一阶梯高度，以使彼此绝缘的制造方法。
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