氮化铪;hafnium nitride HfN 性质：灰色粉末，立方晶结构。熔点3310℃，显微硬度16GPa。相当稳定，但易为王水、浓硫酸、氟氢酸所腐蚀。由铪和氮在900℃直接反应生成，或由铪卤化物和氨或氮和氢混合气体反应制取。为重要难熔化合物铪合金的重要组分。
氮化镓是增长了等离子体辅助(111)和分子束外延(001)硅衬底上氮化硅缓冲层使用铪。
Gallium nitride is grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on (111) and (001) silicon substrates using hafnium nitride buffer layers.
本论文中，我们尝试使用一氧化二氮电浆氮化处理，以改善二氧化铪闸极介电层的品质。
In this thesis, we try to use post-deposition N2O plasma nitridation to improve the HfO2 film quality.
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