... 2、离子注入法（Ion-injection Method） 气相成长法（epitaxial growth method） █ 氧化膜（SiO2） ...
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vapor phase growth method
这种方法如同在结晶基板接枝那样，使结晶成长的气相成长法（vaporphase growth method）。将晶圆在反应容器内加温至高温（约1200℃）并将掺杂物气体与硅烷气体（SiH4）、氢混合，流通适量，就能在结昌基板上长成具有目...
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