该方法包括下列步骤:形成覆 于半导体衬底上之栅电极(gate electrode)(66),以及于该半导体衬 底(36)中刻蚀第一沟槽(82)和第二沟槽(84),该第一沟槽和第二 沟槽形成为对准于该栅电极(66)。
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金属栅电极 metal gate electrode
源栅电极 sourcegridelectrode
激光刻槽掩埋栅电极 LGBC
埋栅电极 buried contact electrode
高介电金属栅电极 High-K Metal Gate ; HKMG
栅极电容器 [电子] grid condenser ; grid blocking capacitor ; [电子] grid capacitor ; grid affiliationbaron capacitor
栅极电荷 Qg
栅极电压 [电子] grid voltage ; VGS ; grid potential ; Vgg
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