在先进硅芯片轮廓最上方的导线堆栈(interconnect stack)深度，可以抵达很深且特别精美的程度;而我们认为这样的趋势将导致芯片前段(front-end)制程分红不同阶段，甚至可能分别再不同的晶...
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在进步前辈硅芯片外表最上方的导线堆栈(interconnect stair conditionerk)深度，可能到达很深且极度严密精的水平；而我们以为这样的趋向将招致芯片前段(front-end)制程分红不同阶段，乃至可能不同再不同的...
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在前辈硅芯片外观最上方的导线堆栈(interconnect stair coolingk)深度，可能到达很深且很是精巧的水平;而我们以为这样的趋向将招致芯片前段(front-end)制程分红不同阶段，以至可能差异再不同的晶...
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在进步前辈硅芯片外观最上方的导线堆栈(interconnect stair-conk)深度，没关系到达很深且出格工致的水平;而我们以为这样的趋向将招致芯片前段(front-end)制程分红不同阶段，以至可能离别再不同的...
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