用薄膜转移技术连接衬底和器件结构用薄膜转移技术连接衬底和器件结构绝缘体上外延硅（SOI）是用埋层二氧化硅（buried oxide, BOX）分隔有源的顶层硅和下层的承载硅片的工程衬底的第一个例子。它能满足主流MOSFET的性能要求。
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是用埋层二氧化硅
It's a buried layer of silica
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