...闸极(double-gate)与多闸极(multigate)元件，在柴氏拉晶法制造的矽晶圆上(bulk Cz) 成长一层矽磊晶层 ( epitaxial silicon layer )，然而从65奈米节点开始，SG)电晶体的设计，多种电晶体型态一一出现；矽晶圆也有数种起始材料(starting material)可供选择(例如...
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成长一层矽磊晶层
A silicon epitaxial layer is grown
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