存储器元件挥发性资料电池Cypress推出2Mb与8Mb nvSRAM CY14B102/CY14B108 回存到SRAM。 两种作业都在软件的控制下执行。新款nvSRAM采用Cypress的S8 0.13微米矽氧化氮氧化硅(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon,SONOS)嵌入式非挥发性存储器技术,具备更高密度,并能改善存取时间与效能。 新的2Mb与8Mb nvSRAM
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存储器元件挥发性资料电池Cypress推出2Mb与8Mb nvSRAM CY14B102/CY14B108 回存到SRAM。 两种作业都在软件的控制下执行。新款nvSRAM采用Cypress的S8 0.13微米矽氧化氮氧化硅(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon,SONOS)嵌入式非挥发性存储器技术,具备更高密度,并能改善存取时间与效能。 新的2Mb与8Mb nvSRAM
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