室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。
宽带隙半导体材料 wide band-gap semiconductor materials
Indium oxide is a direct wide band gap semiconductor material.
In_2O_3是一种直接宽带隙半导体材料。
参考来源 - In·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
本发明涉及一种用于生长宽带隙半导体氧化锌薄膜的MOCVD设备及其工艺。
The present invention relates to the MOCVD equipment and process of growing semiconductor ZnO film with wide band gap.
电子能带结构计算表明sc - C20为宽带隙(4.20 eV)半导体型碳，并且随着压力升高带隙呈现增大的趋势，sc - C20带隙的大小及变化规律与金刚石相似。
Electronic band structure calculations show that sc-C20 is a semiconductor with wide band gap of 4.20 eV, and the gap increase with pressure, similar to that of diamond.
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