为了提供离子注入MESFET的，以满足这些相互冲突的需求，开发了0.7微米埋p层（BP）多功能自对准栅（MSAG）制造过程中已显示出良好的收益达5000门电路。已被研究作为BP注入剂量的函数的器件和电路性能。
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多功能自对准栅
Multifunctional self-aligned grid
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