...的因素：第一是等比例缩小技术的应用减小了单元电路的体积，降低了中子在单元中的能量沉积截 面，却增加了单粒子多位翻转（ MBU ）的可能性；第二是工作电压的降低和工作频率的提高，使得存储在单元节 点上的电荷减小，增大了器件单粒子效应的敏感性。
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...轰击 就有可能导致DRAM存储阵列或SRAM存储阵列内相邻的多个存储单元发生翻 转，这种类型的故障被称为多位翻转（MultiBit Upsets，MBU）。同SEU一样， MBU引起的错误的值将保持到下一次写入操作。
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单粒子多位翻转 single event multiple bit upset
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