资料信息 0)。穿通电极(40) 从硅层(30)到达绝...... SOI晶圆上的半导体组件的制造方法 一种防止在绝缘层上覆硅(silicon on insulator，SOI)晶圆的主动区侧壁下方形成底切(undercut)的方法。先在已定义的主动区域上沉积一层绝缘层，然后蚀
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...y, Page 47 r, 1 2006 CN 200410088040.2 Soi晶圆上的半导体组件的制造方法 一种防止在绝缘层上覆硅(silicon on insulator，SOI)晶圆的主动区侧壁下方形成底切(undercut)的方法。
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