摘要： 如果你想了解SiCMOS工艺的将来，那么IEDM（国际电子器件会议）是值得一去的“地方”。IEDM每年12月份交替在华盛顿和旧金山举行，已有50多年的历史了。
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联华电子于2009 IEDM国际电子元件会议中，发表新混合型高介电系数╱金属闸极28奈米制程解决方案 Gate-first与Gate-last两项技术的优势 联华电子9日在美国巴尔的摩所举办的2009国际电子元件会议(International Electron Device Meeting, IEDM)中，发表了其独特的28奈米制程混合型高介电系数╱金属闸极 (HK/MG)技术。此项方案结合了nMOS
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