...com豆丁网 ET），IGBT是由双极 型三极管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semieonductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，兼有MOSFET 的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优..
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