新型的受保护的可控硅基于双面全平面(bi-face full planar)技术开发，具有优异的内置过压鲁棒性，因此提高了系统的可靠性。当端电压超过雪崩电压时，开关可靠地触发至短路模式。
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可控硅基于双面全平面
Thyristor is based on double-sided full plane
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