低温段的激活能 为0.04-0.07eV,一般认为薄膜的电阻率的 变化与缺陷的跳跃(the hopping of defects) 有关【1l】.不同注入条件下的样品,电阻 率开始转折的温度不同.
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变化与缺陷的跳跃
Change and defect jump
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