异质结发射极双极晶体管（HEBT）的制作与改进特性，采用的发射极边缘减薄技术。在n-GaAs发射极和凸缘厚度的优化设计用来去除潜在的尖峰，并同时防止凸缘传导。
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发射极开关双极晶体管 ESBT
发射极双极晶体管
Emitter bipolar transistor
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