...2a和2b，从而阻止半导体装置US1、US2、US3和US4由于电流的突然上升而遭到破坏。特别当由于在反向恢复电流(reverse recovery current)流入自由轮二极管的条件下接通设置在二极管的相对侧的半导体使得自由轮二极管以相反方向恢复时，就会发生电流的突然上升。
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本文论述了计算晶闸管关断模型反向恢复电流参数的一种方法。
This paper describes a method for calculating reverse recovery current parameters of the thyristor turnoff model.
早期的sJ器件有着较大的反向恢复电流，并且在某些反向恢复的情况下易于失效。
Early generation SJ devices had high reverse recovery current and failed during some reverse recovery events.
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