其做法为在矽晶圆上沉积二氧化矽（SiO2）膜层，再利用微影制程（Photolithography）及反应式离子蚀刻法（Reactive Ion Etch）定义出阵列波导及分光元件等，接著在最上层覆以保护层即可完成。
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及反应式离子蚀刻法
And reactive ion etching method
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