HfO2薄膜使用四 - 二乙基氨基 - 铪前体由远程等离子体原子层的沉积（RPALD）和直接等离子体的ALD（DPALD）方法在Si衬底上生长的特性进行了研究由物理和电气测量技术。
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科学家们通过一种名为“原子层沉积”的化学方法在普通的蜘蛛丝上镀上锌原子、钛原子或者铝原子。
The scientists used a process called atomic layer deposition to coat some spider silk with zinc, titanium or aluminum.
它的系统可以让化学品进行原子层沉积，由此生成的晶体是生产芯片和发光二极管的必需品。
Itss systems can deposit layers of chemicals just atoms thick that grow the crystals needed to make chips and light-emitting diodes.
这种方法被称作“原子级的沉积”，即在银器表面覆盖氧化物保护层，这层氧化物仅有一粒原子那么厚。
The method, called Atomic level Deposition, coats silver objects with a protective oxide film in layers just a single atom thick.
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