单极性半导体（Unipolar semiconductor）： 单极性半导体就是只能制作成n型或p型的半导体，即难以改变导电型号的半导体。 一般, 离子性较强的半导体（如Ⅱ-Ⅵ族半导体）多数为单极性半导体。例如CdS晶体：其中形成负离子空位(S)所需要的能量比形成正离子空位的要小，则通常总是存在有一定数量的(S)；而(S)是带两个电荷的正电中心, 束缚有2个电子, 起着施主作用，因此CdS一般是n型的。又如ZnO、ZnSe、CdSe晶体：其中通常也是存在有负离子空位, 因此一般也是n型的。但是ZnTe的情况相反：其中通常存在的是正离子空位, 起受主作用, 因此一般是p型的。 对单极性半导体, 若掺入的反型杂质浓度不是很高, 则由于其中存在的离子空位的补偿作用 (称为晶体的自补偿作用), 很难改变半导体的导电型号。所以单极性半导体p-n结的制造比较困难。 单极性半导体多半是宽禁带半导体，象GaN、SiC等就都是单极性半导体。GaN由于是一种典型的单极性半导体，所以通过掺杂往往难以改变型号；但是后来采用一定的工艺处理步骤，已经成功地制作出了p-n结。所以GaN在发蓝光的发光二极管和超高频场效应晶体管等的应用中已经取得了辉煌的成就。 由于单极性半导体（宽禁带半导体）的自补作用，所以掺杂所提供的载流子数目有限，从而难以通过高掺杂来获得简并的单极性半导体，并从而也就难以制作出性能良好欧姆接触。实际上，现在欧姆接触的质量往往也就是限制GaN等宽禁带半导体器件性能提高的一个重要难题。对于如何提高单极性半导体（宽禁带半导体）的欧姆接触性能，现在还有许多值得研究的问题；可能比较好的一个解决办法，就是通过与窄禁带半导体构成的异质结来过渡、并加上高掺杂来实现欧姆接触。