...面贴一层保护膜层，如光刻胶PR， 二氧化硅SiO2，氮化硅 Si3N4或金属镍Ni；然后利用黄光光刻和电感偶合式反应离子刻蚀机(ICP-RIE)使用反应离子化学刻蚀的方法将反应气体(如氯气、三氯化硼及甲烷等)选择性的刻蚀透明电极表面，达到使透明电极表面形成光子晶体结...
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采用反应离子刻蚀机(RIE)，用CHF3 (30sccm)气体等离子体刻蚀去除光 刻胶微圆孔中的二氧化硅薄膜；刻蚀功率为100W;刻蚀时间为50min;工作 气压为5Pa。 9.
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干法刻蚀 ( dry etching ):等离子体、离子束打磨(刻蚀)和反应离子刻蚀(RIE)等离子体刻蚀:桶形刻蚀机(barrel etcher)、平面等离子刻蚀机、电子回旋加速器共振(ECR)、高密度反射电子、Helicon波、感应耦合等离子(ICP)、变压器耦合等离子体(TCP)等;
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