约束位错在SF的是深有填充在0.4-0.8电子伏特的价带顶（VBM）位于90°位错的原子的范围内的水平。我们还计算了偏析的C，n型掺杂剂，Si或O和所述p型掺杂剂，镁，位错和SF的。
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Valence band maximum（价带顶） 编辑 在固体物理中，常常把能带分为导带和价带两部分，其中价带是全充满状态，而导带视不同物质有不同充满状态，可以参考导带和...
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... - 期刊论文 - 道客巴巴 fsemiconductor photocatalysis 图1-1半导体光催化反应机理 一般而言，价带顶（VBT，valence band top）越正氧化能力越强，导带底（CBB，conduction band bottom）越负还原能力越强。
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价带顶边 [物化] valence band edge
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