复接器是光纤传输系统光电接口的关键模块之一,由于工作速率很高一般都采用砷化镓(GaAs)、双极性硅(Bipolar Si)、BiCMOS等工艺实现。随着CMOS工艺特征尺寸的不断缩减,已经有可能利用CMOS设计Gbps速率等级的电路。
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Si Bipolar 硅双极晶体管 ; Si双极型
Si Bipolar Transistor 硅双极晶体管
Si Bipolar CMOS 半导体
si bipolar device 硅双极器件
si bipolar junction color sensor 硅双结型色敏器件
poly-si emitter bipolar transistor 多晶硅发射极双极晶体管
At the moment, most of RF chips and ultra high-speed circuits are based on technologies such as GaAs, Bipolar Si, BiCMOS and so on.
目前射频芯片和高速光纤通信芯片绝大多数都是采用高速双极性硅工艺和砷化镓工艺。
The results show that the MOSFETs, with higher doping, thicker si film and silicide, have lower parasitic bipolar gain.
提高体区掺杂浓度、增加硅膜和硅化物厚度能够减小增益。
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