The present thesis analyzed theoretically the basic properties of InP based arsenides and antimonides,including the crystal constants,Band gap energies of InGaAlAs,InGaAsSb quaternary materials,with the bowing modifications taken into consideration.
本论文从理论上分析了InP基砷化物和锑化物半导体材料的基本性质,主要包括通过二元系和三元系材料参数线性插值计算InGaAlAs,InGaAsSb四元系材料的晶格常数、禁带宽度等,并在禁带宽度的计算中考虑了能带弯曲引起的修正量(bow)。
参考来源 - InP基InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱激光器材料与设计研究·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
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