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外延生长 [wài yán shēng zhǎng]

网络释义专业释义

  [电子] epitaxial growth

注7)在单结晶底板上使单结晶生长被称为外延生长Epitaxial Growth),是制造半导体器件时的重要技术。液相外延(LPE:Liquid Phase Epitaxy)是其中的一种。

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  Epitaxy

欢迎访问《半导体学报》网站! 关键词: SiC 化学气相沉积 外延生长[gap=702]Keywords: SiC CVD epitaxy

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  Epigrowth

...学位及国外工作经验者优先;3、具有五年以上半导体材料方面工作经验,例如:机械化学抛光(CMP),晶片湿法清洗外延生长(Epigrowth)等。

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  epitaxy growth

在IC产业中,在重掺或高质量的表面外延生长epitaxy growth )一层薄膜变得越来越受到重视,应用 也越来越普遍。

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短语

汽相外延生长 vapor growth epitaxy ; vapor phase epitaxial growth ; vge ; vapor phase epiautoal growth

外延生长炉 epitaxial furnace ; epitaxial reactor

液相外延生长 liquid phase epitaxial growth ; LPE ; [晶体] rheotaxial growth

外延生长薄片 epitaxial wafer ; epitaxial slice

异质外延生长 heteroepitaxial growth

外延生长膜 epitaxial layer ; epitaxial film

分子束外延生长 MBE ; Molecular beam epitaxy

液相外延生长层 liquid phase epitaxial layer

低压外延生长 low pressure epitaxial growth

 更多收起网络短语
  • epitaxial growth - 引用次数:26

    参考来源 - 高亮度LED晶圆紫外激光划片技术研究
    epitaxial technology - 引用次数:2

    参考来源 - 垂直腔面发射激光器的研制及其特性分析
  • epitaxial growth - 引用次数:29

    The optimal melting temperature and time of the melt-epitaxial growth technics were clarified.

    确定了熔融外延生长工艺的最佳熔融温度和熔融时间。

    参考来源 - 无氟MOD法制备GdBCO高温超导薄膜研究
  • epitaxial growth - 引用次数:13

    参考来源 - Si衬底上低压MOCVD生长ZnS,ZnSe薄膜和ZnSe量子点
    epitaxy - 引用次数:7

    参考来源 - 钽铌酸钾薄膜制备工艺优化及非线性光学性能研究
  • epitaxial growth
    overgrowth
  • epitaxial growth

·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress

双语例句

  • 外延形貌照片观察到了外延生长生长螺线

    Epitaxial growth steps and growth spirals were observed from epitaxial film appearance photograph.

    youdao

  • 使用X射线衍射透射电镜分析,表明异质结是c轴取向外延生长

    X-ray diffraction and transmission electron microscopy establish that LCCO grew epitaxially inc-axis orientation on LCMO.

    youdao

  • 本文根据实际测量结果,一叙述了半导体衬底制片质量外延生长影响

    Based on actual measurement results, the influence of process quality of semiconductor substrate wafers on epitaxial growth is described.

    youdao

更多双语例句

百科

外延生长

外延生长是指在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层,犹如原来的晶体向外延伸了一段。外延生长技术发展于50年代末60年代初。当时,为了制造高频大功率器件,需要减小集电极串联电阻,又要求材料能耐高压和大电流,因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。外延生长的新单晶层可在导电类型、电阻率等方面与衬底不同,还可以生长不同厚度和不同要求的多层单晶,从而大大提高器件设计的灵活性和器件的性能。外延工艺还广泛用于集成电路中的PN结隔离技术(见隔离技术)和大规模集成电路中改善材料质量方面。

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