Zener diode
齐纳二极管晶体管逻辑 doped zener transistor logic ; dztl ; z-diode transistor logic
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现代电压基准建立于使用集成晶体管和带状能隙基准、掩埋齐纳二极体和结场效应晶体管。
Modern voltage references are constructed using the energy - band - gap voltage of integrated transistors, buried zener diodes, and junction field - effect transistors.
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齐纳二极体(英语:Zener diode),或译为稽纳二极管,是利用二极管在反向电压作用下的齐纳击穿(崩溃)效应,制造而成的一种具有稳定电压功能的电子技术元件,因此又称为“稳压管”。 齐纳二极体的名称是取自美国理论物理学家克拉伦斯·梅尔文·齐纳(Clarence Melvin Zener), 1905年12月1日—1993年7月15日),他首先阐述了绝缘体的电气崩溃特性,后来贝尔实验室运用这项发现,开发出此种二极管,并以齐纳作为命名以兹纪念。
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