2009年9月，三星电子宣布，他们已经开始量产容量为512Mb（64MB）的相变随机存储器（PRAM），该产品采用60nm工艺生产，可在80毫秒内擦除65千字，性能是NOR闪存的十多倍，在5MB大小的数据区域擦除和重写的性能是NOR闪存的7...
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...,免费计算机科学技术论文 关键词：相变随机存储器；写操作；内存性能 [gap=1136]keywords：phase-change random access memory；write operation；memory performance ...
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相变随机存取存储器 PRAM ; PCRAM ; phase change random access memory
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