从技术来看,相变化内存(Phase Change Memory)是拥有高读写速度、高集积度、高耐久性、低耗电及抗辐射等多项优点之非挥发内存,采用相变化薄膜作为相变化内存之核心,具有与传...
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英特尔研发“3D cross point”技术,拟推相变化内存(PRAM)。三星电子不甘示弱,发布磁阻式随机存取存储器(MRAM,magnetoresistant random access memory),号称读写速度比 NAND Flash 快...
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相变化内存(Phase Change Memory,PCM)是一项全新的内存技术,目前有多家公司在从事该技术的研发活动。
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