...究 arsine,TBAs)和叔丁基磷(tertiarybulphosp hine,TBP )为源材料,用有机金属气相外延(metalorganic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长了与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InP超晶格.
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InGaAs/InP异质结界面层的应变研究 arsine,TBAs)和叔丁基磷(tertiarybulphosp hine,TBP )为源材料,用有机金属气相外延(metalorganic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长了与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InP超晶格. 高精度X射线衍射的结果表明,在InG aA
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